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EBIC/TEM investigations of process-induced defects in EFG silicon ribbon

机译:EFG硅带工艺缺陷的EBIC / TEM研究

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摘要

Electron bombardment induced conductivity and scanning transmission electron microscopy observations on unprocessed and processed edge-defined film-fed growth ribbon show that the phosphorus diffused junction depth is not uniform, and that a variety of chemical impurities precipitate out during processing. Two kinds of precipitates are found (1) 10 nm or less in size, located at the dislocation nodes in sub-boundary like dislocation arrangements formed during processing and (2) large precipitates, the chemical composition of which has been partially identified. These large precipitates emit dense dislocations tangles into the adjacent crystal volume.
机译:电子轰击诱导的电导率和扫描透射电子显微镜对未处理和边缘限定的薄膜进料生长带的观察表明,磷的扩散结深度不均匀,并且在处理过程中沉淀出多种化学杂质。发现两种沉淀物:(1)尺寸小于或等于10 nm,位于加工过程中形成的亚边界(如位错排列)的亚边界中的位错节点上;(2)大的沉淀物,其化学成分已部分确定。这些大的沉淀物向相邻的晶体体积中散发出致密的位错缠结。

著录项

  • 作者

    Ast, D. G.; Cunningham, B.;

  • 作者单位
  • 年度 1981
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类

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